PGS.TS. Nguyễn Hoàng Thoan

Giảng viên chính , Bộ môn Quang học và Quang điện tử

Tiến sỹ (Đại học KU Leuven, Vương quốc Bỉ, 2013)
Thạc Sỹ (Vật lý kỹ thuật,Trường đại học Bách khoa Hà Nội,2006)
Kỹ sư (Vật lý kỹ thuật,Trường đại học Bách khoa Hà Nội,2004 )

Email: thoan.nguyenhoang@hust.edu.vn

• Nghiên cứu sai hỏng điểm tại phân biên bán dẫn/điện môi bằng phương pháp điện, cộng hưởng từ, …

  Phương pháp thụ động hóa/giải thụ động hóa các trạng thái bẫy điện tử tại các phân biên đó.

• PIN mặt trời: pin mặt trời CIS, CIGS; pin mặt trời sử dụng lớp Si vô định hình làm vật liệu hấp thụ năng lượng….
• Vật liệu polymer dẫn điện

• Nghiên cứu sai hỏng điểm tại phân biên bán dẫn/điện môi bằng phương pháp điện, cộng hưởng từ, …

  Phương pháp thụ động hóa/giải thụ động hóa các trạng thái bẫy điện tử tại các phân biên đó.

• PIN mặt trời: pin mặt trời CIS, CIGS; pin mặt trời sử dụng lớp Si vô định hình làm vật liệu hấp thụ năng lượng….
• Vật liệu polymer dẫn điện.

• Thoan Nguyen Hoang, Charge traps at interfaces of high-mobility semiconductor channels with oxide insulators, University of Leuven – KU Leuven, March 2013. Under supervision of Prof. André Stesmans and Prof. Valery Afanas’ev.
• Madia,  A.P.D Nguyen, N.H Thoan, V Afanas’ev, A Stesmans, L Souriau, J Slotte, F Tuomisto; Impact of strain on the passivation efficiency of Ge dangling bond interface defects in condensation grown SiO2/Si1-xGex/SiO2/(100)Si structures with nm-thin Si1-xGex layers; Applied Surface Science, Volume 291, 1 February 2014, Pages 11–15.
• N. H. Thoan, A. P. D. Nguyen, A. Stesmans, K. Keunen, and V. V. Afanas’ev, Chemical kinetics of the hydrogen-GePb1 defect interaction at the (100)GexSi1−x/SiO2interface; J. Vac. Sci. Technol. B 31, 010603 (2013).
• H. Y. Chou, V. V. Afanas’ev, N. H. Thoan, C. Adelmann, H. C. Lin, M. Houssa, and A. Stesmans, Internal Photoemission at Interfaces of ALD TaSiOx Insulating Layers Deposited on Si, InP and In0.53Ga0.47As; IOP Conference Series-Materials Science and Engineering, Vol. 41, 012019 (2012).
• B.J. O’Sullivan, N.H. Thoan, M. Jivanescu, L. Pantisano, T. Bearda, F. Dross, I. Gordon, V. Afanas’ev, A. Stesmans, J. Poortmans, Atomic and electrical characterisation of amorphous silicon passivation layers, Energy Procedia ISSN: 1876-6102  (SiliconPV: April 03-05, 2012, Leuven, Belgium), 27, 185 (2012).
• V. V. Afanas’ev, H.-Y. Chou, N. H. Thoan, C. Adelmann, H. C. Lin, M. Houssa, and A. Stesmans, Charge instability of atomic-layer deposited TaSiOxinsulators on Si, InP, and In0.53Ga0.47As; Appl. Phys. Lett. 100, 202104 (2012).
• N. H. Thoan, M. Jivanescu, B. J. O’Sullivan, L. Pantisano, I. Gordon, V. V. Afanas’ev, and A. Stesmans; Correlation between interface traps and paramagnetic defects in c-Si/a-Si:H heterojunctions; Applied Physics Letters,  Volume 100, Issue 14,  page 142101 (2012) ISSN (printed): 0003-6951. ISSN (electronic): 1077-3118.
• R. R. Lieten, V. V. Afanas’ev, N. H. Thoan, S. Degroote, W. Walukiewicz, and G. Borghs; Mechanisms of Schottky Barrier Control on n-Type Germanium Using Ge3N4 Interlayers; J. Electrochem. Soc. 158, H358(2011),  ISSN: 0013-4651.
• N. H. Thoan,  K. Keunen, V. V. Afanas’ev, and A. Stesmans; Interface state energy istribution and Pb defects at S(110)/SiO2 interfaces: Comparison to (111) and (100) silicon orientations, Journal Of Applied Physics ( ISSN (printed): 0021-8979. ISSN (electronic): 1089-7550) Vol. 109, page 013710, 2011.
• Nguyen Tuyet Nga, Vo Thach Son, Nguyen Hoang Thoan, Pham Phi Hung,  Influence of technological conditions on properties of nanocrystalline ZrO2sythesised by hydrothermal technology, Communication in Physics, 2007, Vol 17, No 3, p. 183-187,  ISSN 0868-3166.
• Nguyen Hoang Thoan, Valery V. Afanas’ev, and Andre Stesmans,  Density of interface traps and Pb defects at Si(110)/SiO2 interfaces, comparison to (111) and (100) silicon orientations, Proceeding of The 6th Vietnam-Korea International Joint Symposium on Advanced Materials and Their Processing-Hanoi, Vietnam – November 04-05, 2011,   page 109-113 , ISBN 978-604-113-6
• Thoan Nguyen Hoang, Son Vo Thach, Michel Jouan, Sang Nguyen Xuan and Hung Pham Phi, Influence of different post-treatments on the physical properties of sprayed zinc oxide thin films, Physics and Engineering of New Materials – Springer Proceedings in Physics, Vol.127, 2009, p177-184, ISBN 9783540882008.
• Son Vo Thach, Michel Jouan, Sang Nguyen Xuan, Thoan Nguyen Hoang and Hung Pham Phi, Growth and structure of Zinc oxide nanostructure layer obtained by spray pyrolysis; Physics and Engineering of New Materials – Springer Proceedings in Physics, Vol.127, 2009, p171-176, ISBN 9783540882008.
• Phạm Phi Hùng, Nguyễn Tuyết Nga, Nguyễn Hoàng Thoan và Nguyễn Xuân Sáng, Tính chất quang của màng mỏng ZrO2 chế tạo bằng phương pháp sol-gel, Spincoating, Tuyển tập công trình hội nghị Vật lý chất rắn toàn quốc lần thứ 6, NXB Tự nhiên và Công nghệ, trang 1040, 2007.
• Phan Thanh Hải, Nguyễn Hoàng Thoan, Phạm Phi Hùng, Nguyễn Xuân Sáng, Nguyễn Tuyết Nga, Võ Thạnh Sơn, Màng mỏng nano tinh thể ZrO2 lắng đọng bằng phương pháp phun nhiệt phân Tuyển tập công trình hội nghị Vật lý chất rắn toàn quốc lần thứ 6, NXB Tự nhiên và Công nghệ, 2007.
• Nguyễn Hoàng Thoan, Nguyễn Tuyết Nga,Võ Thạch Sơn, Study on synthesizing the nano-catalyst ZrO2based on thermal-hydro method – Nghiên cứu tổng hợp nano tinh thể ZrO2 trên cơ sở phương pháp thuỷ nhiệt , Tuyển tập Báo cáo Hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ 6 – Hội Vật lý Việt Nam, p.1428, 2006.
• N. H. Thoan, N. T. Nga and V. T. Son; XPS study on nanocrystalline zirconia particles synthesised by sol gel method; International Conference on Engineering Physics (ICEP 2006), Hanoi 2006.
• P. T. Huy, P. B Minh, N. H. Thoan and N. D. Chien, Synthesis of carbon nanotubes from home raw material sources, Proceeding of the Ninth Asia Pacific Physics Conference (9 th APPC), World Publisher, Hanoi, p.353, 2005.
• N. V. Hung, D. T. X. Thao, N. D. Chien and N. H. Thoan, Er3+-doped sol-gel derived silica and silica-titania based materials for optical communications, Proceeding of the Ninth Asia Pacific Physics Conference (9 th APPC), World Publisher,  Hanoi, p565, 2005.
• D. T. X. Thao, N. D. Chien, N. V. Hung and N. H. Thoan, N. V. Long and L. D. Tuyen, Structural behavior of SiO2-TiO2:Er3+ materials: annealing temperature dependence, Proceeding of the ninth Asia Pacific Physics Conference (9th APPC), World Publisher, Hanoi, p.601, 2005.
• Nguyen Van Hung, Nguyen Hoang Thoan, Nguyen Viet Long, and Le Dac Tuyen. “STRUCTURAL BEHAVIOR OF SiO2-TiO2:Er3+ MATERIALS: ANNEALING TEMPERATURE DEPENDENCE.” transition 1, no. 15/2 (2004).
• N. V. Long, N. D. Chien, D. T. X. Thao, P. T. Nga, P. N. Thang, T. T. H. Tam, N. H. Thoan, M. Nogami – Fabrication and optical characterization of erbium-activated monolithic silica xerogels, Proceedings of the 7th Vietnamese-German Seminar on Physics and Engineering, Halong, p.285, 2004
• D. T. X. Thao, N. D. Chien, T. X. Anh, L. T. Lu, N. V. Hung and N. H. Thoan, Europium doped SiO2 and SiO2-Al2O3: Structural and optical properties study, The 3rd national conference on optics and spectroscopy, Hanoi, 2002.
• D. T. X. Thao, N. D. Chien, T. X. Anh, L. T. Lu, N. V. Hung and N. H. Thoan, Eu3+ and Al3+ doped Silica gels: spectroscopic and optical properties, The 8thVietnam Conference on Radio & Electronics, p. 333, 2002.

• Elaboration of CuInS₂ ultrathin absorbent  layer based Solar Cells
• Nghiên cứu phân biên các chuyển tiếp nano dị chất.

• Vật lý đại cương 1,2
• Vật lý và công nghệ nano
• Cơ sở Vật lý và công nghệ nano
• Vật lý chất rắn